2023年07月05日 16:48:25
安世半導體推出新款600 V單管IGBT
《科創(chuàng)板日報》5日訊,安世半導體今日宣布,推出新款600 V單管IGBT。據(jù)介紹,新款600 V單管IGBT采用載流子儲存溝槽柵場截止(FS)結(jié)構,在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開關損耗性能與高耐用性。
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