SK海力士開始量產下一代HBM 本月下旬起向客戶供貨 首批產品交付英偉達
原創(chuàng)
2024-03-19 13:54 星期二
科創(chuàng)板日報 宋子喬
①有分析師表示,SK海力士的HBM產能在2024年已被預訂滿;
②HBM3E是HBM3的擴展(Extended)版本,為當下最強大的HBM產品;
③HBM3E領域,美光、三星緊追不舍。

《科創(chuàng)板日報》3月19日訊(編輯 宋子喬) 在今天的英偉達GTC 2024大會上,英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell,第一款Blackwell芯片名為GB200,將于今年晚些時候上市。

作為英偉達唯一HBM3供應商,SK海力士隨即發(fā)布新聞稿,宣布已開始量產高帶寬內存產品HBM3E,將從3月下旬起向客戶供貨。七個月前,該公司公布了HBM3E開發(fā)成功的消息。

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SK海力士HBM3E

據(jù)路透最新報道,消息人士稱首批出貨量將交付給英偉達。有分析師表示,SK海力士的HBM產能在2024年已被預訂滿,因為人工智能芯片的爆炸性需求推動了高端存儲芯片的需求。IBK Investment & Securities分析師Kim Un-ho表示:“SK海力士已經占據(jù)了絕對的市場地位……其高端存儲芯片的銷量增長預計也將是芯片制造商中最為積極的?!?/p>

HBM(高速寬帶存儲器)是面向AI的超高性能DRAM產品,也是當下存儲廠商的競爭焦點,該存儲器供應市場由SK海力士(53%)、三星(38%)和美光(9%)三大存儲巨頭主導。

通過垂直連接多個DRAM,HBM可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度,實現(xiàn)小體積、高帶寬和高速傳輸,滿足高性能AI服務器GPU需求。HBM DRAM產品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)。HBM3E是HBM3的擴展(Extended)版本,為當下最強大的HBM產品。

在HBM最新產品的競逐賽中,SK海力士再次奪得先機,是首家實現(xiàn)量產HBM3E的供應商。SK海力士在聲明中表示:“公司預計HBM3E能夠成功量產,憑借作為業(yè)界首家HBM3供應商的經驗,我們希望鞏固我們在人工智能內存領域的領導地位?!?/p>

SK海力士推出的HBM3E芯片有何性能優(yōu)勢?

據(jù)該公司介紹,SK海力士采用了先進的MR-MUF(Molding with Rubberand UFP)技術,使得HBM3E的散熱性能比上一代產品提高10%。這種技術通過在半導體芯片堆疊后的空間中注入液體形態(tài)的保護材料并進行固化,與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較,工藝效率更高,散熱方面也更加有效;

其HBM3E的最高數(shù)據(jù)處理速度可達每秒1.18TB(太字節(jié)),這意味著它能夠在極短的時間內處理大量數(shù)據(jù)。相當于在1秒內處理230部全高清(FHD)級別的電影

另外,其HBM3E提供高達8Gbps的傳輸速度,這是相較于前一代HBM3的顯著提升。這種高速度對于需要快速數(shù)據(jù)處理的應用場景,如高性能計算和人工智能,尤為重要。

值得注意的是,HBM3E領域,美光、三星緊追不舍,這兩家公司均表示已開始批量生產該款芯片。其中,美光計劃在2024年第二季度開始出貨,其HBM3E將用于英偉達的H200 Tensor Core GPU;三星已開發(fā)出業(yè)界首款12棧HBM3E芯片,并開始向客戶提供樣品,預計今年上半年量產。

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