財(cái)聯(lián)社7月16日電，中信證券研報(bào)指出，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速率高、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高等特點(diǎn)，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的重要方向。碳化硅襯底位于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心上游，采用碳化硅功率器件的高壓快充新能源汽車更能適應(yīng)其增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)間和提升電池容量等需求，預(yù)計(jì)將成為未來的主流選擇，驅(qū)動(dòng)碳化硅襯底需求進(jìn)一步增長。