
中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功
《科創(chuàng)板日報》22日訊,中國科學院微電子研究所宣布,該院劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊等開展合作,共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統(tǒng),已成功通過太空第一階段驗證并實現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應用。
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