①AI時代爆發(fā)性的算力增長對存力提出了新要求; ②2025年以來各大存儲廠商均發(fā)布減產(chǎn)計劃,有望開啟新一輪漲價周期; ③機構(gòu)稱存力有望成為AI浪潮下半場的關(guān)鍵。
《科創(chuàng)板日報》2月28日訊(編輯 宋子喬) 存儲行業(yè)隱隱有漲價趨勢,多家券商給出積極預(yù)測。
中信證券研報指出,隨原廠控產(chǎn)影響顯現(xiàn),行業(yè)庫存逐步消化,AI拉動需求提升,預(yù)計主流NAND Flash價格有望于25Q2開漲,DRAM價格有望于25H2企穩(wěn)向好,存儲模組漲價早于晶圓端,國內(nèi)模組廠商主要布局NAND產(chǎn)品,25Q2有望迎利潤拐點,低價存貨有望帶來利潤彈性,估值有望率先提升,建議關(guān)注模組環(huán)節(jié)投資機會。
天風(fēng)證券表示,智能手機與PC行業(yè)對NAND存儲的需求持續(xù)升溫,新硬件產(chǎn)品的發(fā)布預(yù)示著消費者換機熱潮的到來。隨著銷售渠道庫存逐漸消化至合理水平,存儲板塊預(yù)期二季度開啟漲價,模擬板塊中汽車工控領(lǐng)域拐點或現(xiàn)。
近期業(yè)界也傳來不少價格待漲的聲音。華邦電總經(jīng)理陳沛銘表示,網(wǎng)通市場需求低迷多年,預(yù)期2025年下半年市場狀況有望改善,并帶動DRAM供過于求情況好轉(zhuǎn),下半年產(chǎn)品價格有機會上揚。至于快閃存儲器方面,編碼型快閃存儲器(NOR Flash)2025年上半年估計約產(chǎn)銷平衡,下半年將有較顯著成長。單層式儲存型快閃存儲器(SLC NAND Flash)因有供應(yīng)商退出,預(yù)期下半年供應(yīng)可能吃緊。服務(wù)器市場需求健康,若AI服務(wù)器滲透率提升,將有助產(chǎn)品需求增加。
存儲受益AI端側(cè)需求驅(qū)動+原廠減產(chǎn)
存力即數(shù)據(jù)存儲能力。海量的數(shù)據(jù)需要安全、可靠的存儲空間,而存力就是提供這一空間的關(guān)鍵。隨著數(shù)據(jù)量的大規(guī)模增長,存儲設(shè)備在數(shù)據(jù)中心采購的BOM中占比持續(xù)提升,目前存儲芯片在數(shù)據(jù)中心采購中比例約為40%,未來預(yù)計將提升至50%。
一方面,AI時代爆發(fā)性的算力增長對存力提出了新要求,AI端側(cè)應(yīng)用的普及推動云端及端側(cè)存儲需求增長。隨著AI算力需求的不斷提升,馮?諾依曼架構(gòu)的存算性能失配問題日益顯現(xiàn),存算一體化技術(shù)應(yīng)運而生。近存計算通過2.5D和3D堆疊技術(shù)有效融合計算與存儲,提升內(nèi)存帶寬并降低訪問延遲,成為提升芯片性能的主流方案。HBM和CUBE方案作為代表,能夠廣泛應(yīng)用于高性能計算和邊緣設(shè)備中,隨著AI終端的普及和算力需求的加速,近存計算有望成為未來技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵趨勢。
另一方面,供應(yīng)端主動優(yōu)化產(chǎn)能結(jié)構(gòu),有望開啟新一輪存儲漲價周期。上一輪存儲漲價的驅(qū)動力便來自2023Q2原廠的減產(chǎn)。2025年以來各大存儲廠商均發(fā)布減產(chǎn)計劃,美光預(yù)計減產(chǎn)10%,三星預(yù)計減產(chǎn)15%,海力士預(yù)計上半年減產(chǎn)10%,鎧俠自2024年12月開始減產(chǎn)。
開源證券日前發(fā)布研究報告稱,阿里巴巴FY2025Q3單季資本開支達(dá)317億元,環(huán)比提升80%+,創(chuàng)歷史新高。該行認(rèn)為在以阿里為首的國內(nèi)云廠商資本開支增加的推動下,AI應(yīng)用落地有望加速,AI商業(yè)模型有望閉環(huán)。存力作為貫通上游算力設(shè)施和下游終端設(shè)備的重要部分,有望成為AI浪潮下半場的關(guān)鍵之一。該機構(gòu)關(guān)注三條主線:
(1)存儲模組廠商:德明利、江波龍、佰維存儲、香農(nóng)芯創(chuàng);
(2)先進存儲廠商:兆易創(chuàng)新、恒爍股份等;
(3)邊緣側(cè)Nand/Nor flash廠商:兆易創(chuàng)新、普冉股份、東芯股份、恒爍股份、聚辰股份等。
海通證券也認(rèn)為,2025年,伴隨AI應(yīng)用端滲透進一步提升,存儲單機搭載量將持續(xù)成長,存儲減產(chǎn)+需求改善下存儲價格有望實現(xiàn)回暖。
