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HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊

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2025-03-07 13:44 來自 ZDNet

【三星力爭為谷歌最新款TPU供應HBM】《科創(chuàng)板日報》7日訊，三星電子正在為成為谷歌最新款TPU的HBM供應商不斷進行測試。雖然相比SK海力士和美光進入驗證的時間較晚，但最近的測試結(jié)果比以往更為積極。 (ZDNet)

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2025-02-27 13:42

【機構(gòu)：Server DRAM與HBM持續(xù)支撐 2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增9.9%】財聯(lián)社2月27日電，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收突破280億美元，較前一季成長9.9%；由于Server DDR5的合約價上漲，加上HBM集中出貨，前三大業(yè)者營收皆持續(xù)季增。平均銷售單價方面，多數(shù)應用產(chǎn)品的合約價皆反轉(zhuǎn)下跌，只有美系CSP增加采購大容量Server DDR5，成為支撐Server DRAM（服務器內(nèi)存）價格續(xù)漲的主因。展望2025年第一季，隨著進入生產(chǎn)淡季，整體原廠出貨位元量將季減。價格部分，因PC OEM、手機業(yè)者持續(xù)去化庫存，DRAM供應商將DDR4及部分HBM產(chǎn)能回流至Server DDR5，CSP采購動能放緩，預估第一季一般型DRAM合約價及一般型DRAM及HBM合并的整體合約價皆下跌。

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2025-02-27 09:01 來自 ETNews

《科創(chuàng)板日報》27日訊，消息稱SK海力士的第6代12層堆疊高帶寬內(nèi)存HBM4測試良率已達70%。 (ETNews)

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2025-02-19 13:37 來自首爾經(jīng)濟日報

【三星計劃2028年推出“移動HBM”】《科創(chuàng)板日報》19日訊，三星電子半導體暨裝置解決方案（DS）部門首席技術(shù)官宋在赫表示，搭載LPW DRAM內(nèi)存的首款移動產(chǎn)品將在2028年上市。LPW DRAM通過堆疊LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可減少耗電量并提高性能，采用垂直引線鍵合的新封裝技術(shù)，被譽為“移動HBM”。其帶寬可達200GB/s以上，較現(xiàn)有的LPDDR5x提升166%。 (首爾經(jīng)濟日報)

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2025-02-18 14:34

【機構(gòu)：預計2027年底DRAM將邁入個位數(shù)納米技術(shù)節(jié)點】財聯(lián)社2月18日電，TechInsights平臺上發(fā)布報告稱，2025年第一季度，市場上將首次推出D1c的一小部分產(chǎn)品，首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據(jù)主導地位，包括HBM4 DRAM應用。從市場角度看，HBM產(chǎn)品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前價格高昂，而傳統(tǒng)產(chǎn)品如LPDDR5和DDR5器件則價格較低且性能相對較弱。未來AI和數(shù)據(jù)中心將需要更高的單個裸晶的內(nèi)存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市場上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，應開發(fā)3D DRAM架構(gòu)，如4F2垂直溝道晶體管 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元，并在10納米以下級別節(jié)點（個位數(shù)節(jié)點）實現(xiàn)產(chǎn)品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商，作為下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場上的主流產(chǎn)品。到2027年底，我們預計DRAM將邁入個位數(shù)納米技術(shù)節(jié)點，如D0a，隨后將是0b和0c世代。

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2025-01-31 07:33 來自彭博

財聯(lián)社1月31日電，英偉達據(jù)悉批準了三星的8層HBM3E人工智能存儲芯片。 (彭博)

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2025-01-23 11:23 來自財聯(lián)社劉蕊

HBM芯片需求火熱！SK海力士史詩級財報：季度營利暴增超20倍一舉超越三星

①韓國SK海力士公布財報，四季度營業(yè)利潤8.1萬億韓元，創(chuàng)歷史新高；
②HBM芯片銷售強勁，占公司DRAM總收入40%，預計2025年HBM銷售額增長100%以上；
③SK海力士計劃增加HBM3E供應，適時開發(fā)HBM4，推進DDR5和LPDDR5生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換。

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2025-01-23 08:43

財聯(lián)社1月23日電，海力士與臺積電就16層HBM4進行密切合作，預計2026年下半年出貨。

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2025-01-23 08:21

財聯(lián)社1月23日電，SK海力士預計HBM銷售額2025年將增長100%以上。

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2025-01-23 07:38

【SK海力士計劃今年增加HBM3E供應量并適時開發(fā)出HBM4】財聯(lián)社1月23日電，SK海力士發(fā)布截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告。SK海力士在財報中表示，公司計劃今年增加HBM3E的供應量，并適時開發(fā)出HBM4，根據(jù)客戶的要求進行供應。并且在需求穩(wěn)定持續(xù)的情況下，將為了具有競爭力的DDR5和LPDDR5生產(chǎn)，推進所需的先進工藝轉(zhuǎn)換。NAND閃存方面，繼去年之后也將以盈利為主的運營和滿足需求情況的靈活銷售戰(zhàn)略應對市場。

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2025-01-21 12:24 來自 MoneyToday

【消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年恐影響HBM4】《科創(chuàng)板日報》21日訊，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從2024年底推遲至2025年6月，而這一變化可能會影響到三星對HBM4內(nèi)存的規(guī)劃。三星電子原計劃在去年12月將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，達到結(jié)束開發(fā)工作、進入量產(chǎn)階段所需的水平。但在實際情況中，三星雖于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整體良率卻無法滿足要求。 (MoneyToday)

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2025-01-16 11:32 來自 ZDNet

《科創(chuàng)板日報》16日訊，SK海力士計劃最早于2025年6月向英偉達交付HBM4樣品，預計將于第三季度末開始全面供應產(chǎn)品。 (ZDNet)

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2025-01-14 09:09 來自臺灣工商時報

【DRAM產(chǎn)業(yè)供需預計2025年第二季度恢復平衡】《科創(chuàng)板日報》14日訊，業(yè)內(nèi)人士指出，三大廠將產(chǎn)能移往高頻寬記憶體(HBM)，DRAM產(chǎn)業(yè)供需預計于2025年第二季度恢復平衡，2025年下半年小幅供不應求，報價有望趨于穩(wěn)定。 (臺灣工商時報)

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2025-01-09 11:49

【韓國SK集團會長崔泰源：SK海力士與英偉達正在加快研發(fā)HBM 已敲定今年供應量】財聯(lián)社1月9日電，韓國SK集團會長崔泰源8日在2025年國際消費類電子產(chǎn)品展覽會（CES 2025）上舉行記者座談會時表示，人工智能（AI）在所有領(lǐng)域引領(lǐng)變化，不再是可選項。做AI市場的領(lǐng)頭羊還是跟隨者，將決定未來的發(fā)展。目前，AI產(chǎn)業(yè)先要具備基礎(chǔ)設施和人力資源等基本條件。我們要把握主動開創(chuàng)未來，不能依賴他國。崔泰源還介紹展會期間與英偉達首席執(zhí)行官（CEO）黃仁勛會面一事，稱雙方就高帶寬存儲器（HBM）和“物理AI”等話題交換了意見。SK海力士正向英偉達獨家供應HBM，去年3月率先供應第五代8層HBM3E產(chǎn)品，同年10月全球首次量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E內(nèi)存。崔泰源說，其間SK海力士HBM研發(fā)速度略慢于英偉達，對方（英偉達）要求SK海力士提速，而近期（SK海力士的）研發(fā)速度開始趕超，兩家公司正在加快研發(fā)HBM。雙方已通過工作層會議敲定了今年的供應量。

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2025-01-03 14:04 來自 Chosun Biz

【消息稱三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)】《科創(chuàng)板日報》3日訊，三星電子DS部門內(nèi)存業(yè)務部最近完成了HBM4內(nèi)存邏輯芯片設計，F(xiàn)oundry業(yè)務部現(xiàn)已根據(jù)該設計采用4nm制程啟動試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的HBM4內(nèi)存樣品。 (Chosun Biz)

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2025-01-03 12:03

【SK海力士宣布將于CES展示16層HBM3E】《科創(chuàng)板日報》3日訊，SK海力士宣布將參加CES 2025，并將展出16層堆疊HBM3E樣品。SK海力士CEO郭魯正表示，SK海力士將于今年下半年開始量產(chǎn)第六代HBM(HBM4)。

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閱353.42W

2024-12-30 12:40

【TrendForce：預計2025年Q1 DRAM均價下跌】《科創(chuàng)板日報》30日訊，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔心美國可能拉高進口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價格預計下跌0%至5%。

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2024-12-25 13:49

【機構(gòu)：預計2025年HBM出貨量將同比增長70%】《科創(chuàng)板日報》25日訊，據(jù)TechInsights報告指出，隨著AI的興起，特別是在機器學習和深度學習等數(shù)據(jù)密集型應用中，對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求空前高漲。預計2025年HBM出貨量將同比增長70%，因為數(shù)據(jù)中心和AI處理器越來越多地依賴這種類型的存儲器來處理低延遲的大量數(shù)據(jù)。HBM需求的激增預計將重塑DRAM市場，制造商將優(yōu)先生產(chǎn)HBM，而不是傳統(tǒng)的DRAM產(chǎn)品。

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2024-12-23 14:35 來自臺灣工商時報

《科創(chuàng)板日報》23日訊，美光指出，下一季高頻寬記憶體(HBM)銷售額將季增一倍以上，并預估2025年全球HBM產(chǎn)值或超過300億美元。 (臺灣工商時報)

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2024-12-23 10:47 來自 Wccftech

【美光：下一代HBM4內(nèi)存計劃2026年大規(guī)模生產(chǎn) 后續(xù)推出HBM4E】《科創(chuàng)板日報》23日訊，美光發(fā)布了其HBM4和HBM4E項目的最新進展。具體來看，下一代HBM4內(nèi)存采用2048位接口，計劃在2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而HBM4E將會在后續(xù)幾年推出。 (Wccftech)

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